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新型高磁电阻磁隧道结的制备方法

847   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:00:02
本发明公开了一种新型高磁电阻磁隧道结的制备方法,包括以下步骤:首先清洗Si衬底基片并烘干待用;然后在烘干后的Si衬底基片上沉积SiO2薄膜;在SiO2薄膜上磁控溅射沉积Ru/Fe3O4/Ru/CoFe/NiFe金属层;制备氧化镁靶材;采用上述制得的氧化镁靶材作为靶材,对磁控溅射腔抽真空,然后向该磁控溅射腔中通入一定量的氧气和氩气,在NiFe上沉积氧化镁薄膜;然后在氧化镁薄膜上溅射沉积NiFe/CoFe/Ru金属层,形成磁隧道结,最后放入真空中在180‑480℃下退火处理30‑150min,得到高磁电阻磁隧道结。该方法制得的磁隧道结磁电阻效应高,热稳定性好。
声明:
“新型高磁电阻磁隧道结的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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