本发明提供一种纯碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法,包括如下步骤:支撑体的制备、过渡层的制备、以及表面膜层的制备。其中,不同层采用不同粒径的碳化硅粉体和聚碳
硅烷制备而成,且使用聚碳硅烷作为碳化硅的前驱体。根据本发明获得的纯碳化硅陶瓷膜元件,由于使用聚碳硅烷作为碳化硅的前驱体,聚碳硅烷能在较低的热处理温度下分解产生高活性碳化硅,分解产生的碳化硅作为高温结合剂连接初始碳化硅,因此该方法制备的全碳化硅陶瓷膜具有抗折强度高、烧结温度低的特点。此外,所制备得到的碳化硅陶瓷膜由纯碳化硅组成,表现为较强的亲水憎油特性;良好的机械性能,较高的膜通量,以及很强的化学稳定性。
声明:
“纯碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)