一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法,将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中,将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上,使基片位于坩埚正上方20cm~30cm处;在真空条件进行镀膜,镀膜真空度不小于6.0×10-3Pa,基片温度控制在室温~450℃,调节电子束使其聚焦到膜料上的斑点最小,控制束流值在100mA~180mA,沉积时间为5min~120min。此种方法既可制备非晶态碳化硼薄膜,又可制备多晶结构的碳化硼薄膜,还可制备各种不同B、C成分配比的碳化硼薄膜,而且所制备的碳化硼薄膜表面光滑、薄膜致密、均匀性良好。
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