本发明涉及一种二硅化钼/碳化硅复合多孔陶瓷的制备方法。该方法使用Mo、Si、C、SiC及B元素粉模压成型,通过调整真空度并熔渗Si进行烧结,获得MoSi2/SiC复合多孔陶瓷,所得材料孔隙率稳定保持在50%或以上。该方法补充了现有多孔材料品种,和现有多孔陶瓷相比,获得了更高使用温度和抗氧化性能环境下使用的多孔陶瓷品种,该法工艺简单,可规模生产。
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