一种电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法,将碳化硼膜料放到电子束蒸发设 备的坩埚中,将清洗、干燥后的微球形衬底放到三维沉积装置的筛网反弹盘里,使微球 形衬底位于坩埚正上方20cm~30cm处;在真空条件进行镀膜,镀膜真空度不低于 5.0×10-3Pa,衬底温度为室温~300℃;调节电子束使其聚焦到膜料上的斑点最小,调节 三维沉积装置,使筛网反弹盘以0.125Hz~1Hz的频率作间歇式振动,束流值控制在 80mA~140mA,镀膜时间为5h-100h。此方法可制备出球形衬底的微球碳化硼薄膜, 薄膜结构因工艺不同有多晶和非晶两种状态,所制备的碳化硼薄膜表面光滑、均匀性良 好。
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