本发明公开了一种电子元器件用铜锆合金及其制备方法,合金成分包括:Zr 0.05‑0.4wt%,Mg 0.05‑0.2wt%,Si 0.03‑0.15wt%,
稀土0.01‑0.06wt%,余量为Cu及不可避免的杂质元素。本发明还公开了一种该合金的制备方法,包括熔化、合金化、铸造、热轧、粗轧、时效、精轧、去应力退火和成品处理。本发明的铜锆合金在添加Mg、Si和稀土元素的综合作用影响下,同时兼备高强度、高导电性和优异的弯曲加工性,其制备方法易于工程化生产,且成本低,成品带材抗拉强度不小于560MPa、导电率不小于80%IACS,其产品可用于极大规模集成电路及大电流电子元件、散热部件。
声明:
“电子元器件用铜锆合金及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)