本发明涉及一种具有可见光响应的
石墨烯纳米带的制备方法。本发明的特征是,先采用真空还原法,在300℃下将氧化石墨烯还原成石墨烯,同时石墨烯骨架中的C=C键被破坏掉,再结合超声处理,从而得到长100~400nm,宽20~80nm的石墨烯纳米带。该纳米带暴露出较多的边缘,可以作为一种理想的载体,并表现出半导体的特性。在模拟太阳光的照射下,制备的石墨烯纳米带具有强的光生电子能力及电子传输能力。
声明:
“具有可见光响应的石墨烯纳米带的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)