本实用新型公开一种陶瓷覆铜框架及基于该框架的场效应晶体管,所述陶瓷覆铜框架包括陶瓷基板、位于陶瓷基板上的金属化层以及位于金属化层上的铜层,金属化层通过金属化浆料印刷技术印刷在陶瓷基板上,印刷在陶瓷基板上的金属化层与陶瓷基板通过真空烧结工艺结合,形成缓冲层,铜层通过电镀覆在缓冲层上。本实用新型所述框架兼顾了裸铜框架的高导电性和高散热性能,同时又规避了框架与
芯片之间热失配严重导致的可靠性问题,从而提高了器件的可靠性,降低了失效率。
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