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塑封SiC肖特基二极管器件及其制造方法

604   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:58:54
本发明公开了一种塑封SiC肖特基二极管器件,包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片,其制造方法为:将金属散热底板放置于模具内,在金属散热底板的凸台上表面点上适量焊膏;将SiC肖特基二极管芯片阳极面朝下倒置放置在凸台上表面,并在SiC肖特基二极管芯片朝上的阴极区表面和外引脚焊接区同时点上适量焊膏;将连接桥片焊接A区和B区同时分别放置在阴极区和外引脚焊接区上;将装配好的产品连同模具一起进行一次性真空烧结,待烧结完成后,进行清洗、塑封,完成封装,形成产品,本发明极大的提高了芯片散热效果,缩短工艺流程,提高生产效率,极大的提高了器件的通流能力,充分发挥出SiC肖特基二极管芯片高通流能力优势。
声明:
“塑封SiC肖特基二极管器件及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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