本申请涉及一种高纯深紫外镀膜用HfO2材料的烧结提纯工艺,该工艺包括:提供HfO2原料、Hf粉原料、分散剂和添加剂,并混合均匀得到粘稠状混合物,各组分的比例为80‑90:0‑20:1‑10:1‑10;干燥;过筛;制成坯料;脱脂并干燥;进行真空烧结,升温至1900‑2400℃并保温200‑300min,然后自然冷却到室温,在原料中添加Hf,保证材料中的Hf和Zr都处于亚氧化的状态,将烧结温度提高到ZrO2‑x相熔点以上且低于HfO2‑x相的熔点,在该温度下HfO2‑x相依然为固体,液化的Zr元素逐渐流出材料,富集在材料表面,并逐渐挥发,以实现Zr/Hf分离;同时高温烧结后的HfO2结构更致密,更利于材料排出杂质,提纯得到的HfO2材料中的Zr含量小于0.1%,明显提高HfO2材料的深紫外光学性能和抗激光损伤性能。
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