本发明涉及半导体技术领域。步骤一,真空烧结:将金属片覆盖于活性金属焊料或者活性金属焊片上,在真空环境下加热使金属片钎焊于陶瓷基板表面;步骤二,依次进行贴膜、曝光、显影、蚀刻以及退膜,进而在金属片上形成沟槽;步骤三,金属片蚀刻‑第一金属层蚀刻成型;步骤四,金属片蚀刻‑第二金属层蚀刻成型;步骤五,金属片蚀刻‑第三金属层蚀刻成型;步骤六,焊料蚀刻。本专利通过优化陶瓷基板的结构,
芯片嵌埋在基板中,能够提高芯片的封装密度。
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“3D结构陶瓷基板的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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