一种陶瓷低温活性金属化用膏体、陶瓷金属化方法及依据该方法制备的真空电子器件。膏体的组成为:Mo粉3.0~5.0wt.%,粘结剂8.0~15.0wt.%和AgCuInTiLi合金粉为余量。其制备方法包括:制备陶瓷低温活性金属化用膏体,将膏体涂覆在陶瓷表面,烘干陶瓷除去粘结剂和真空烧结。陶瓷活性金属化处理后,可在表面生成厚度40μm~60μm的金属过渡层,可焊性得到改善,焊着率及焊接强度显著提高。该处理方法适用于
氧化铝、氧化锆、氧化铍、氮化硼等多种陶瓷金属化,方法简单,操作流程短,成本低,利于批量生产。
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