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铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料

889   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:58:54
一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料,包含如下步骤:制备SiC复合浆料,首先使用SiC微粉配制得到固含量为30‑70%的SiC浆料,然后按照SiC∶Au∶Ag:Pd为(50‑60)∶(0.3‑0.6)∶1:(0.02‑0.05)的质量比加入金粉和银粉和钯粉,混合均匀,得到SiC复合浆料;流延成型,对得到的SiC复合浆料除泡混合均匀后,进行流延得到SiC复合流延膜;流延膜素烧,对得到的流延膜进行素烧,得到SiC复合素坯;真空烧结,将SiC符合素坯在真空状态下烧结,得到铝基碳化硅。本发明的有益效果:通过采用凝胶流延法制备铝基氮化铝,工艺简单,得到的产品成分分布均匀,气孔率低,半导体性能优越,且通过引入金、银和钯粉,充分改善烧结性能,进一步降低烧结温度,节能环保。
声明:
“铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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