本发明公开的一种Ni增强Ag‑SnO
2触点材料及其制备方法,按照质量分数由以下原料组分组成:金属Ag含量为30‑50%,SnO
2含量为5‑20%,余量为镍,以上各组分的质量百分比之和为100%;本发明制备方法通过混合粉末、第一次退火处理、冷压成型、真空烧结、二次退火处理,得到Ni增强Ag‑SnO
2触点材料。本发明低压触点材料,增强了材料整体的抗电弧侵蚀性能,具有优良的导电能力。
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