本发明属于碳化硅陶瓷领域,涉及一种无压烧结碳化硅复合陶瓷的制备方法。制备方法包括以下步骤:按照原料配比称取各成分,将SiC、TiB
2、B
4C、聚酰亚胺、分散剂以及40‑60%的水混合球磨4‑8h;静置1‑5h后,入蒸汽干燥箱中干燥;加入酚醛树脂以及剩余40‑60%的水,继续球磨1‑3h;加入聚乙烯和聚乙烯醇,球磨1‑3h,得浆液;将浆液喷雾干燥造粒;造粒料过50‑100目筛,加入脱模剂,采用压制成型工艺制得生坯;将生批放入高温真空烧结炉内,采用无压烧结工艺进行烧结。
声明:
“高性能无压烧结碳化硅复合陶瓷的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)