本发明提供一种高致密度钼钽合金溅射靶材的制备工艺,该工艺包括如下步骤:S1、钽粉氢化处理;S2、原料混合;S3、胶套装粉作业;S4、冷等静压作业:升压至一定压力后,保压一段时间,然后泄压,最后将压制坯从胶套取出;S5、真空烧结;S6、热轧作业:对钼钽合金进行金属包套轧制,热轧后退火去除应力;S7、进行磨削等机加工作业,得到最终所需产品尺寸。本发明的工艺步骤简单,操作便捷,制备的钼钽合金溅射靶材纯净度、相对密度均满足高端电子产品镀膜领域使用需求,且生产成本低,产品尺寸宽泛,便于工业化批量生产。
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