本发明提供了一种磷掺杂
多晶硅薄膜及其制备方法,属于
功能材料领域。通过将多晶硅粉末与磷粉末按比例混合均匀,压片、真空烧结制得硅靶材,将硅靶材和石英玻璃基片放入真空系统中,采用激光溅射沉积的方法制备出磷掺杂多晶硅薄膜。本发明获得的磷掺杂多晶硅薄膜,其横向应变系数绝对值的最大值可达24.3;横向应变系数的非线性在1-2.5%之间,比现有的多晶硅薄膜降低了0.5%;采用本发明方法可以使多晶硅薄膜掺杂均匀、平整度高、致密性好且控制晶粒尺寸范围为0.1μm~0.5μm;本发明制备方法简单、成本低、可控性强,为多晶硅薄膜领域拓展了新思路。
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