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低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法

975   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:58:02
本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法,包括以下步骤:1)按照体积配比,选取45~70%的SiC粉末,5~15%的ZrO2粉末,10~30%的Al2O3粉末,10~30%的构成玻璃体系复合氧化物粉末,混合均匀,过200目筛储存备用;2)按照粉料重量:PVA重量=95 : 5的比例加入8%固含量的PVA,手动混合均匀后,过80目筛,在80MPa压力下压制形成生坯;3)将生坯放入空气炉中进行烧结,升温速率为5℃/h,升温至450℃,保温12h;4)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中,填充Ar,升温至1600~1800℃进行烧结,保温时间为1~3h,升温速率为5℃/min。本发明制备得到的SiC半导体复合材料具有发火电压低,火花能量大、不受气压和环境介质的影响,耐热冲击、耐电火花的腐蚀,熄灭再启动、高空性能好等优良性能。
声明:
“低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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