一种普通电力整流二极管
芯片的整套生产工艺流程,从开始到结束,整个生产工艺流程包括:线切割,清洗,真空烧结,真空蒸镀及真空微合金,黑胶保护,磨角,酸腐蚀,胶体保护,室温硫化,高温固化,检测包装。其中清洗以后的单晶硅片,按照以下多层结构,从下至上依次为:钼片、铝箔、单晶硅片,在烧结炉中进行真空烧结,后将铝膜蒸镀到整个单晶硅片上;所述磨角采用多角度搭配研磨工艺。本发明的优点在于:制造出一种新结构的芯片,且突破了传统的电力整流管芯片台面单一角度的台面造型模式。多角度搭配研磨工艺新应用技术的出现,使得芯片台面具有更加完美的多角度台面造型。有效提高了电力整流管芯片承载更高工作电压的能力。
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