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双面烧结卡具、压接式IGBT模块烧结方法及其制得的子模组

621   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:58:01
本发明提供了一种功率芯片双面烧结的压接式IGBT模组的制备方法,该方法包括:从下至上将下钼片、焊片、IGBT芯片、焊片和上钼片组装到烧结卡具中;组装限位销压制压片;用连续真空烧结炉烧结得单芯片烧结连接结构;从下至上依次组装的塑料框架、弹簧探针和烧结结构,得所述单芯片压接子模组。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉,能够大规模烧结芯片,极大地缩短了工序时长,效率高,速度快;本发明中提供的烧结方法采用的烧结卡具与压片,解决了芯片与钼片烧结后的对中问题,并且可以确保烧结后结构的厚度差值可控制在8μm以下。
声明:
“双面烧结卡具、压接式IGBT模块烧结方法及其制得的子模组” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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