本发明所述锆及锆合金氢化工艺优化的方法,工艺步骤依次如下:(1)真空活化,将锆或锆合金置于真空烧结炉中,控制炉内真空度≤1.0×10‑2Pa后升温,当炉内温度升至150~350℃时保温30~90min,升温和保温过程中均保持炉内真空度≤1.0×10‑2Pa;(2)氢化,真空活化后,向真空烧结炉内通入高纯氢气进行氢化处理,所述氢气的纯度≥99.999%。该方法中的真空活化步骤不仅可破坏锆或锆合金表面的致密氧化膜,使氢化过程中氢气的渗透阻力降低,吸氢点提前,从而降低锆或锆合金的氢化温度,缩短氢化保温时间,使氢化锆的氢含量大幅提高并接近理论值,而且使氧含量得到有效控制。
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