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MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法

783   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:58:01
本发明公开了一种MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法,它的步骤如下:(1)首先,将MoSi2、SiC、C及B4C元素粉球磨混料,混合时间为8-72hr,并模压成型,得到坯料;(2)将坯料室温晾干,然后入烘箱烘干1-200hr,得到烘干后的坯料;(3)将烘干后的坯料移入铺有金属Si粉的真空烧结炉中,冷却后获得MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷。本发明利用MoSi2、SiC、C及B4C混合元素粉模压成型,所得材料孔隙率低于10%或以下,强度大于200MPa。该方法补充了现有高温抗氧化强度材料品种,适合工业规模。
声明:
“MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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