本发明公开了一种MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法,它的步骤如下:(1)首先,将MoSi2、SiC、C及B4C元素粉球磨混料,混合时间为8-72hr,并模压成型,得到坯料;(2)将坯料室温晾干,然后入烘箱烘干1-200hr,得到烘干后的坯料;(3)将烘干后的坯料移入铺有金属Si粉的真空烧结炉中,冷却后获得MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷。本发明利用MoSi2、SiC、C及B4C混合元素粉模压成型,所得材料孔隙率低于10%或以下,强度大于200MPa。该方法补充了现有高温抗氧化强度材料品种,适合工业规模。
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