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IGBT半桥电路

958   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:58:01
一种IGBT半桥电路,在外壳底板上真空烧结氮化铝DBC基板,在氮化铝DBC基板上真空烧结IGBT芯片和FWD芯片;氮化铝DBC基板与主电极引线间用真空烧结的连接桥进行电联接,氮化铝DBC基板与IGBT芯片、FWD芯片及辅助电极引线间用超声压焊高纯铝丝进行电联接;壳盖扣设在外壳底板上。其优点是:它采用金属全封装外壳,芯片采用真空烧结工艺,通过氮化铝DBC基板实现同壳体的绝缘,其耐温度循环性能和密封性、散热性能等都比较理想。它体积小、重量轻、大电流、抗冲击、抗振动、散热性好,能耐更高的冷热剧变,可组合为H桥电路与三相全桥电路。适合于在高压、高频、自然条件恶劣的环境下对直流电进行逆变;壳盖与壳体的连接采用平行缝焊工艺,使其能耐更高的温度冲击。
声明:
“IGBT半桥电路” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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