本发明公开了一种从废旧氮化镓基发光二极管中回收镓的方法,将废旧氮化镓基发光二极管经过热解,再通过压碎-筛分、研磨-筛分得到废旧氮化镓基发光二极管的
芯片富集体,将含有镓的芯片富集体进行真空冶金分离,回收得到单质镓。本发明不仅有效回收了废旧氮化镓基发光二极管中的镓,而且在回收过程中,也使非金属组分和其他常见金属得到资源化处理。本发明在减少环境污染和提高资源利用率方面优势突出,具有成本低、高效、无污染等特点。
声明:
“从废旧氮化镓基发光二极管中回收镓的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)