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基于真空分离式p-n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池

754   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:57:02
本发明提供了基于真空分离式p‑n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池,包括GaAs光电阴极、真空腔和阳极,所述阳极采用GaN基材料,所述阳极从最表层到靠近真空腔依次为衬底层、AlN缓冲层、n型变掺杂GaN接收层,其中AlN缓冲层生长在衬底层上;n型变掺杂GaN基接收层生长在AlN缓冲层上。本发明采用n型变掺杂GaN基接收层,在阳极内部形成一个内建电场,增大了电子在阳极内部的输运速率,提高了电子收集能力,抑制阳极材料的噪声电流,实现的真空分离式p‑n结太阳能电池较高的能量转换。
声明:
“基于真空分离式p-n结n型变掺杂GaN基阳极的太阳能电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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