双向可控硅制造中的真空烧结方法,属于一种电子元件加工方法,具体步 骤是:1.制作真空烧结炉用模具;2.填料;3.模具叠成模具组;4.模具组入 炉;5.将炉子抽真空管,真空度1~5×10-1Pa,时间15~30分钟;6.烧结 同时抽气,保证炉内负压,温度控制在350℃~400℃之间烧制5~13分钟;7. 冷却至80℃以下,这种方法克服了真空炉不能用于双向可控硅焊接的技术偏见, 成本低、效率高,制作的产品质量也明显提高。
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