本发明提供一种
太阳能电池制备方法及太阳能电池。该太阳能电池制备方法包括扩散工艺,所述扩散工艺包括:S1.对预处理后的硅片进行第一次磷扩散,在其上形成N型区以及太阳能电池的PN结结构;S2.对经第一次扩散后的硅片进行第二次磷扩散,增加所述N型区表层的磷浓度。所述扩散工艺之后还包括:在680-720℃温度下,进行1680-1800秒的热处理工艺。本发明至少解决了现有技术中由于物理冶金法提纯得到的
多晶硅原始片电阻率较低,而与PN结扩散条件不匹配,造成的开路电压、短路电流和转换效率低的技术问题;同时也较好的解决了电池表面浓度与金属-半导体接触的匹配问题,即提升了欧姆接触的整体性能,降低了电池串联电阻。
声明:
“太阳能电池制备方法及太阳能电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)