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基于含氦W基纳米晶薄膜材料的制备方法

1069   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:51:32
本发明公开了一种含氦W基纳米晶薄膜材料的制备方法,即首次采用磁控溅射的方法在He/Ar混合气氛中将W基靶材进行溅射、沉积,从而在衬底上实现含氦W基纳米晶薄膜材料的制备。本制备方法可有效克服传统粉末冶金等方法制备的W基块体晶粒粗大的问题,实现具有纳米量级晶粒尺寸的W基样品的制备,有效克服了传统方法中使用加速器注入He时由于材料表面温度升高引起的温度不可控、氦原子在材料表面深度方向分布不均匀等问题,实现了He原子在W基材料中均匀、可控地注入。
声明:
“基于含氦W基纳米晶薄膜材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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