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Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺

779   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:51:16
本发明涉及一种Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于该Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体是由CuInTe2中的部分Cu和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素,所述Zn元素在所述Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体中的摩尔分数为0.01~0.05,所述Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体的化学式为Cu1-xIn1-xZn2xTe2,其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备,工艺简单;采用金属元素Zn等摩尔替换CuInTe2中Cu和In元素,成本较低;材料具有环保特性,无噪音,适合作为一种绿色能源材料使用。
声明:
“Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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