本发明涉及一种Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于该Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体是由CuInTe2中的部分Cu和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素,所述Zn元素在所述Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体中的摩尔分数为0.01~0.05,所述Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体的化学式为Cu1-xIn1-xZn2xTe2,其中0≤x≤0.1。本发明采用常规的
粉末冶金法制备,工艺简单;采用金属元素Zn等摩尔替换CuInTe2中Cu和In元素,成本较低;材料具有环保特性,无噪音,适合作为一种绿色能源材料使用。
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