本发明属于冶金资源循环利用技术领域,公开了一种利用
多晶硅切割废料在低温下制备SiO2‑Si3N4复合陶瓷的方法。将多晶硅切割废料处理至实验室使用标准,与稀释剂混合,球磨均匀,通过合理选择氮化气氛,控制氮化反应,获得氮化产物;将氮化产物破碎研磨,并加入SiO2、C、烧结助剂,球磨混匀,冷等静压成型制备氨化前样品;通过合理选择氨化气氛,控制氨化反应,获得SiO2‑Si3N4复合陶瓷。本发明的优点在于通过控制粉体组成和氨化条件规避副产物的生成,利用SiO2和C发生的碳热还原反应有效降低体积效应,最终得到成分均一、性能良好的SiO2‑Si3N4复合陶瓷,从而实现了
光伏产业链废弃物的资源化利用和陶瓷产业链的经济发展。
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