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利用多晶硅切割废料在低温下制备SiO2-Si3N4复合陶瓷的方法

876   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:51:06
本发明属于冶金资源循环利用技术领域,公开了一种利用多晶硅切割废料在低温下制备SiO2‑Si3N4复合陶瓷的方法。将多晶硅切割废料处理至实验室使用标准,与稀释剂混合,球磨均匀,通过合理选择氮化气氛,控制氮化反应,获得氮化产物;将氮化产物破碎研磨,并加入SiO2、C、烧结助剂,球磨混匀,冷等静压成型制备氨化前样品;通过合理选择氨化气氛,控制氨化反应,获得SiO2‑Si3N4复合陶瓷。本发明的优点在于通过控制粉体组成和氨化条件规避副产物的生成,利用SiO2和C发生的碳热还原反应有效降低体积效应,最终得到成分均一、性能良好的SiO2‑Si3N4复合陶瓷,从而实现了光伏产业链废弃物的资源化利用和陶瓷产业链的经济发展。
声明:
“利用多晶硅切割废料在低温下制备SiO2-Si3N4复合陶瓷的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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