本发明公开了一种利用含氧多孔层吸除硅中杂质B的方法。按下述步骤进行:a)将硅块制成50~1000目的硅粉;再对硅粉预处理:分别用H
2SO
4与H
2O
2的混合溶液、HF溶液、无水乙醇溶液以及纯水各搅拌清洗,之后放入真空干燥箱中烘干;b)将预处理后的硅粉用腐蚀液进行高温腐蚀,再用纯水进行清洗、过滤后烘干,得到多孔硅;c)多孔硅的氧化:将多孔硅通过水溶液浸注或高温退火方式进行氧化,在多孔硅表面构筑含氧多孔层,得到含氧多孔硅;d)对含氧多孔硅进行酸洗,去除表面氧化层,再进行清洗、过滤后烘干,得到去除B的硅粉。本发明制备路径新颖,工艺简单,易操作,成本较低,能够有效的降低冶金级硅中的B浓度,并能在工艺上使B的浓度很容易的控制。
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