本发明公开了一种去除硅材料表面杂质的方法,属于
新能源材料制备技术领域。本方法利用强流脉冲电子束辐照处理硅材料,通过瞬时高能量注入引发表面蒸发和表层喷发过程,发挥表面蒸发去除杂质和熔体喷发去除深层杂质的双重效果,获得具有一定厚度且符合
太阳能电池制造使用要求的表层高纯
多晶硅材料。本方法可对不经任何提纯预处理的冶金多晶硅原料、其他提纯工艺生产的中间硅材料,以及生产使用中表面出现污染和服役性能下降的回收成品硅材料直接进行表面提纯处理,具有操作简单、投资低、能耗低和无环境排放污染等优点。
声明:
“去除硅材料表面杂质的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)