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含硅合金靶材及其制备方法

734   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:50:31
本发明属于粉末冶金材料制备技术领域,提供一种含硅合金靶材及其制备方法。其靶材成分中硅含量为0<Si(at%)≤80%。本发明采用纯度为99.5%~99.95%的铬粉与纯度为99.9%~99.999%的纯硅粉机械合金化混合,或采用铬粉与CrSi合金粉末混合制备合金粉末,将合金粉末冷等静压后装填入包套内,经在加热状态下抽真空脱气并封焊之后进行热等静压处理、机加工等工序,获得致密度高、显微组织均匀的CrSi靶材。本发明制备的CrSi靶材,可用于电子、半导体、集成电路、防腐蚀、高耐磨性等镀膜领域,制备具有低TCR高稳定性、高方阻的电阻薄膜,以及具有良好耐腐蚀性能、高硬度及良好耐磨性能的涂层。
声明:
“含硅合金靶材及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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