一种接触冶金结构,包括在衬底上的具有腔的构图的介质层;位于所述腔的底部处的例如钴和/或镍的硅化物或锗化物层;包括TI或TI/TIN的接触层,位于所述介质层的顶部上和所述腔内并接触所述底部上的所述硅化物或锗化物层;位于所述接触层的顶部上和所述腔内的扩散阻挡层;位于所述阻挡层的顶部上的用于镀敷的可选的籽晶层;使用制造方法在过孔内提供金属填充层。使用选自铜、铑、钌、铱、钼、金、银、镍、钴、银、金、镉和锌及其合金中的至少一种电淀积所述金属填充层。当所述金属填充层是铑、钌、或铱时,在所述填充金属与所述介质之间不需要有效的扩散阻挡层。当所述阻挡层为可镀敷的时,例如钌、铑、铂、或铱,不需要所述籽晶层。
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