本发明涉及半导体技术,具体的说是设计一种MOS栅控晶闸管。本发明对P+阴极接触区10进行改进,增大了P+阴极接触区10的宽度,改变了冶金结形貌,减小了自阴极金属11流入的电子的运输通道。器件正向工作特性受到P+阴极接触区10、N阱9组成的JFET的控制,在相对较小的阳极电压下可发生沟道夹断效应,能控制器件饱和电流的大小。P+阴极区接触区10的结深和宽度可根据器件设计要求进行优化取值。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管。
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