本申请公开了一种高纯碳化硅粉及其制备方法,属于
半导体材料制备领域。该高纯碳化硅粉的制备方法包括下述步骤:提供β碳化硅粉和/或α碳化硅粉作为初碳化硅粉料;将初碳化硅粉料重结晶,制得碳化硅多晶块;将碳化硅多晶块除碳提纯,制得高纯碳化硅粉;所述重结晶的温度不低于2500℃。本申请通过重结晶的方法提高制得的高纯碳化硅粉的纯度,无需经过
湿法冶金或酸洗步骤除杂,污染小、毒性小、操作性高;并且纯碳化硅粉在600‑799℃下通氧气的除碳提纯步骤使得碳化多晶块的去碳效果好、制得的高纯碳化硅粉的氧化程度低,高纯碳化硅粉用于生长碳化硅单晶的氧杂质影响小;该制备方法可制得纯度不低于99.9999%的高纯碳化硅粉,且高纯碳化硅粉的粒度可控。
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