本发明提供一种横向高压功率半导体器件的槽型终端结构,属于半导体功率器件技术领域。通过在横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型轻掺杂漂移区内引入槽型介质条环,使得N型轻掺杂漂移区内的环型介质承担了主要耐压,这样就避免了由于漏端加高压所带来的源端PN结冶金界结面产生高电场峰值,进而造成器件耐压降低。由于介质槽的临界击穿电场远高于硅材料,所以本发明可以减小器件曲率终端的宽度,使电场线更加集中而不会提前击穿,这样就节约器件版图面积,并且与CMOS工艺相兼容,利用本发明可制作高压、高速、低导通损耗的横向高压功率器件。
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