本发明涉及半导体技术领域,提供了一种靶材组件热等静压整体成形方法,其特征在于,包括以下步骤:提供背板、靶材、真空包套;将所述背板、所述靶材依次放入真空包套内;将所述靶材置于所述背板上;将所述真空包套进行抽真空,达到预设真空度后对所述真空包套进行焊接密封;利用热等静压工艺对焊接密封后的真空包套进行热压处理,得到靶材和背板整体成形的靶材组件;去除真空包套,加工出符合所需尺寸的靶材组件。本发明实施例中,通过靶材和背板的整体成形工艺,解决了靶材与背板的焊接问题,此发明方法成形后的靶材和背板能够形成紧密的冶金结合界面,保证焊缝质量和导热性,大大提高了铬靶材成形与焊接的效率与合格率。
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