本发明公开一种两步化学气相沉积法制备
石墨烯的方法,属于
新材料制备领域。本发明以聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯和聚乙二醇粉末为固态碳源,铜粉或铜箔为催化基底,将固态碳源放置于气流上游温区,将铜粉或铜箔置于下游温区。使固态碳源与铜基底同时加热到一个较低的温度,保温一定时间,使固态碳源充分分解,并在铜基底上沉积低质量的多层石墨烯。将上、下游温区同时升温至1000℃以上,实现铜基底上较高质量少层或单层石墨烯的制备。本发明工艺简单、安全可控,碳源来源广泛,成本低,且能够在铜粉上生长较高质量的石墨烯,并易于实现工业化生产,在
粉末冶金、
复合材料、电力电子等领域具有广泛的潜在应用。
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