本发明提供了低温纳米锡浆料的制备方法及封装方法,制备方法包括S1制备高活性的纳米锡溶胶;S3制备纳米锡浆料;封装方法包括S1在
芯片和基板上对称制备图形化的焊盘或过渡金属化层;S2将制备得到的纳米锡浆料附着在焊盘和过渡金属化层表面,对准堆叠形成封装结构;S3对S2中所述封装结构施加压力并进行低温加热,促使纳米锡浆料烧结实现冶金互连。本发明在低温条件下使用低熔点、低成本、高表面活性的纳米锡浆料进行烧结,完成与基板和芯片之间互连,无需添加贵金属镀层增加润湿和结合强度,简化生产工艺,降低封装结构的复杂性和成本,且烧结后接头具有较好导热率和导电性能,适合应用于电子封装领域中低温及热敏感器件的封装互连。
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