本发明提供一种低硼
多晶硅及其制备方法,涉及冶金领域。低硼多晶硅由硼含量小于0.3ppm的碳原料和硼含量小于0.15ppm的二氧化硅原料按照质量比为1:1~3.5混合后冶炼制得。低硼多晶硅的制备方法包括:将硼含量小于0.3ppm的碳原料和硼含量小于0.15ppm的二氧化硅原料按照质量比为1:1~3.5混合后冶炼制得。低硼多晶硅由低硼碳原料和低硼二氧化硅原料制得,无需再次脱硼即满足太阳能级多晶硅的要求。
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