本发明提供一种镶嵌金刚石铜的高功率密度基板及其制备方法。所述基板主体包括金刚石铜
复合材料部分和钨铜、钼铜合金或无氧铜部分。所述合金部分镶嵌在复合材料上或所述复合材料镶嵌在合金上,两部分为冶金结合或焊接结合,采用真空压力浸渗工艺,可以直接近终成型。该基底具有高于钨铜等合金材料的热导率;热膨胀系数与
半导体材料相匹配;易于机械加工,比纯金刚石铜材料具有更好的可加工性;相对质量小和价格适中,便于推广使用,可以满足高功率电子器件的散热需求,解决了制约电子器件向高功率和小型化发展的散热问题。
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