本发明涉及一种陶瓷材料技术领域,具体是一种氧化钬(Ho2O3)作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为:氧化钬3%~12%,氮化硅85%~97%。目的在于克服现有技术的不足,提供一种氧化钬作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法,可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。
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