合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 电冶金技术

> 半导体器件的制造方法

半导体器件的制造方法

685   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:50:02
本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成层间介电层,在所述层间介电层中形成铜金属互连沟槽或通孔;采用湿法冶金工艺在所述铜金属互连沟槽或通孔的侧壁及底部形成CuMn合金种子层;在所述铜金属互连沟槽或通孔内填充铜金属,以形成铜金属互连结构。根据本发明,可以使形成的CuMn合金种子层不发生悬垂突出现象,以利于后续电镀铜金属的实施。
声明:
“半导体器件的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
电冶金技术
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记