本发明公开了属于钨
粉末冶金技术领域的一种半导体存储器用高纯纳米钨粉的制备方法。该方法包括以下步骤:(1)向纯化的钨酸铵溶液中加入盐酸,得到钨酸浆液;(2)以氯化钯为催化剂,向步骤(1)所得钨酸浆液中通入氢气进行液相氢还原反应,制得高纯纳米钨粉。利用本发明方法制备的高纯纳米钨粉,有利于高纯钨靶的致密化烧结成型,同时可以显著降低其烧结温度,从而获得组织细小均匀、晶粒取向随机的高纯钨靶材;所得高纯纳米钨粉可以满足半导体存储器行业的使用要求。
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