本发明涉及烧结技术领域,且公开了一种中低硅烧结技术,包括以下步骤:1)首先,逐步将SiO2为≥7.5%的巴粗使用完后,接着采购的巴西粗粉SiO2控制在≤7.5%,降低配矿硅到5‑6水平,来进行实验;2)为保证生产技术攻关的严谨性、科学性和稳定性,此试烧验证过程从小高炉烧结矿开始进行。该中低硅烧结技术,通过先利用中硅巴粗验证后,接着利用CSN巴粗进行,再用中硅巴粗,慢慢降低矿硅到5‑6水平,来进行多次验证,使验证结果更加严谨,此验证先利用小高炉烧结矿开始进行,然后对整个生产和高炉使用过程的生产参数、烧结矿转鼓、全粒级、低温还原粉化指数RDI和熔滴性能等冶金性能数据进行统计分析,进行效果验证检测,达到了降低熔剂消耗的目的。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)