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增强光电性能Zr元素掺杂AZO靶材

778   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:48:02
Zr元素掺杂AZO靶材, 采用粉末冶金法工艺方法,将原料粉ZrO2粉与AZO粉混合,使掺杂的ZrO2含量为0.5%,然后对原料粉体进行球磨处理,得到粒度细而均匀的类球形颗粒;将处理过的粉末进行装模;装模后进行冷等静压,压力范围100MPa~200MPa,而后进行烧制,烧制温度范围为1200℃~1500℃;目的是优化晶体结构和表面形貌,增强AZO薄膜的光电特性,提高薄膜的稳定性。从而完善薄膜性能、降低反应温度、提高控制精度、降低制备成本和适应大规模生产。
声明:
“增强光电性能Zr元素掺杂AZO靶材” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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