Zr元素掺杂AZO靶材, 采用
粉末冶金法工艺方法,将原料粉ZrO2粉与AZO粉混合,使掺杂的ZrO2含量为0.5%,然后对原料粉体进行球磨处理,得到粒度细而均匀的类球形颗粒;将处理过的粉末进行装模;装模后进行冷等静压,压力范围100MPa~200MPa,而后进行烧制,烧制温度范围为1200℃~1500℃;目的是优化晶体结构和表面形貌,增强AZO薄膜的光电特性,提高薄膜的稳定性。从而完善薄膜性能、降低反应温度、提高控制精度、降低制备成本和适应大规模生产。
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