本发明提供的高纯钴靶材的制备方法,包括:将钴粉装入模具;冷压成型;真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钴锭、然后对钴锭反复进行塑性变形和退火制得钴靶坯的工艺相比,本发明通过
粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钴靶坯,获得致密且分布均匀的可用于半导体靶材制造用的钴靶坯,克服了钴靶材由于质地坚硬易碎,而在塑性变形加工过程中容易产生裂纹而导致报废率高的问题。
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