一种场发射微纳钨发射极的成形方法,属于
粉末冶金技术领域。首先采用一次或者多次气流磨处理改善钨粉的粉末状态,得到细粒度、高分散、窄分布近球形钨粉颗粒,有利于在成形阶段形成更加均匀的开孔结构。其次将处理后的粉末进行一次或者多次的煅烧处理,以消除气流磨过程中产生的内应力。再次将该粉末与粘结剂混合均匀制成喂料,在微注射成形设备上成形所需形状和尺寸的钨坯体,最后经脱脂和烧结制备出具有均匀孔隙的场发射微纳钨发射极。本发明显著优化了原料粉末和微粉末注射成形工艺,制备出的场发射微纳钨发射极杂质含量低、孔隙均匀、晶粒尺寸≤1μm,孔径200~800nm,孔隙率15~35%,开孔孔隙度占总孔隙度的95%以上。
声明:
“场发射微纳钨发射极的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)