本发明公开了一种制备高纯度钼电极的方法,该方法为:先将粒度为2.5μm~4.0μm,氧质量含量为400ppm~600ppm的钼粉压制成钼坯料,将钼坯料置于电阻烧结炉中进行预烧结;然后将经预烧结后的钼坯料置于中频感应炉中进行烧结,得到质量纯度达99.99%以上的钼电极。本发明采用两段烧结方法,首先在低温段(1350℃以下),进行长时间的预烧结,不仅利于除气脱氧,大大降低了钼电极中的气体含量,也有利于低熔点杂质的排除,然后采用氢气中频感应烧结炉进一步降低
粉末冶金生产钼电极的气体含量和杂质含量,制备的钼电极碳和氧的质量含量均低于10ppm,完全满足玻纤行业用高纯度钼电极的质量要求。
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